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IPP180N10N3 G /MOSFET N-Ch 100V 43A TO220-3 OptiMOS 3
IPP180N10N3 G的规格信息
IPP180N10N3 G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:43 A

Rds On-漏源导通电阻:15.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:25 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:71 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:19 ns

典型接通延迟时间:12 ns

零件号别名:IPP180N10N3GXKSA1 IPP18N1N3GXK SP000683090

单位重量:6 g

供应商IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G的供应商,可免费索样
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深圳市威雅利发展有限公司IPP180N10N3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPP180N10N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
13267088774 (微信同号)		Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司IPP180N10N3 G华强广场C座18J0755-27381274
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深圳和润天下电子科技有限公司IPP180N10N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPP180N10N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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集好芯城IPP180N10N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市仓实科技有限公司IPP180N10N3 G深圳市福田区福田街道17080955875李先生Email:service@cangshixc.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPP180N10N3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPP180N10N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IPP180N10N3 G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPP180N10N3 G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市博浩通科技有限公司IPP180N10N3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
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万三科技（深圳）有限公司IPP180N10N3 G深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C0755-23763516，18818598465
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